|
Detail produk:
|
| Tegangan Sumber Pembuangan: | 100 V | Tegangan Sumber Gerbang: | ±20V |
|---|---|---|---|
| Disipasi Daya Maksimum: | 210W | Arus penguras berdenyut: | 395A |
| Tegangan tinggi: | Ya, aku tahu. | pemulihan tubuh terbalik: | Ya, aku tahu. |
| Cahaya Tinggi: | pwm driver MOSFET,MOSFET driver stepper |
||
JY11M N Mode Peningkatan Saluran Daya MOSFET
GAMBARAN UMUM
JY11M menggunakan teknik pemrosesan parit terbaru untuk mencapai sel tinggi
kepadatan dan mengurangi on-resistance dengan peringkat longsoran berulang tinggi. Ini
menggabungkan fitur untuk membuat desain ini perangkat yang sangat efisien dan andal untuk
digunakan dalam aplikasi switching daya dan berbagai aplikasi lainnya.
FITUR
● 100V / 110A, R DS (ON) =6.5mΩ@V GS = 10V
● Beralih cepat dan membalikkan pemulihan tubuh
● Tegangan dan arus longsor yang ditandai sepenuhnya
● Paket luar biasa untuk pembuangan panas yang baik
APLIKASI
● Berpindah aplikasi
● Sirkuit keras dan frekuensi tinggi
● Manajemen Daya untuk Sistem Inverter
Peringkat Maksimum Mutlak (Tc = 25ºC Kecuali Dinyatakan Lain)
| Simbol | Parameter | Membatasi | Satuan | |
| V DS | Tegangan Drain-Source | 100 | V | |
| V GS | Tegangan Sumber Gerbang | ± 20 | V | |
| Saya D | Tiriskan terus menerus Arus | Tc = 25 º C | 110 | SEBUAH |
| Tc = 100 º C | 82 | |||
| Saya DM | Tiriskan Arus Pulsed | 395 | SEBUAH | |
| P D | Pembuangan Daya Maksimal | 210 | W | |
| T J T STG | Operasi Persimpangan dan Suhu Penyimpanan Jarak | -55 hingga +175 | º C | |
| R θJC | Perlawanan Termal-Persimpangan ke Kasing | 0,65 | º C / W | |
| R θJA | Perlawanan Termal-Persimpangan ke Ambient | 62 |
Karakteristik Listrik (Ta = 25ºC Kecuali Dinyatakan Lain)
| Simbol | Parameter | Kondisi | Min | Ketik | Maks | Satuan |
| Karakteristik Statis | ||||||
| BV DSS | Sumber Tiriskan Tegangan Kerusakan | V GS = 0V, I DS = 250uA | 100 | V | ||
| I DSS | Tegangan Gerbang Nol Tiriskan Arus | V DS = 100V, V GS = 0V | 1 | ya | ||
| Saya GSS | Kebocoran Gerbang-Tubuh Arus | V GS = ± 20V, V DS = 0V | ± 100 | tidak | ||
| V GS (th) | Ambang Gerbang Voltase | V DS = V GS, I DS = 250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| R DS (ON) | Sumber Tiriskan Perlawanan dalam-negara | V GS = 10V, I DS = 40A | 6.5 | mΩ | ||
| g FS | Meneruskan Transkonduktansi | V DS = 50V, I DS = 40A | 100 | S |
UNDUH JY11M MANUAL PENGGUNA
Kontak Person: Ms. Lisa
Tel: +86-18538222869
